Obiective si Rezultate estimate

Evenimente

11.10.2017

Marius Purcar si Adrian Bojita, fac o vizita de scurta durata la: Infineon Technologies Romania Scs & Co, B-dul Dimitrie Pompeiu Nr. 6, Sector 2, Bucuresti, Romania. unde sunt intampinati de Cristian Boinceanu

11-14.10.2017

Participare la The 40th edition of the INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE 2017, Sinaia, Romania cu articolul:

Adrian Bojita, Purcar M., Boianceanu C., Tomas E., Topa V., "A Study of Adaptive Mesh Refinement Techniques for an Eficient Capture of the Thermo-Mechanical Phenomena in Power Integrated Circuits"

27-29.09.2017

Participare la 23rd INTERNATIONAL WORKSHOP on Thermal Investigations of ICs and Systems - THERMINIC 2017, Amsterdam, netherlands cu articolul:

Bojita A., Boianceanu C., Purcar M, Plesa C, Florea C., "A Simple Metal-Semiconductor Substructure For The Advanced Thermo-Mechanical Numerical Modeling Of The Power Integrated Circuits"

31.07.2017-1.09.2017

Marius Lungociu si Razvan Pitu, in calitate de studenti practicanti ai UTCN fac un stagiu de pregatire la: Infineon Technologies Romania Scs & Co, B-dul Dimitrie Pompeiu Nr. 6, Sector 2, Bucuresti, Romania. sub coordonarea lui Cristian Boinceanu

31.07.2017-1.09.2017

Adrian Bojita, in calitate de cercetator UTCN face un stagiu de pregatire la: Infineon Technologies Romania Scs & Co, B-dul Dimitrie Pompeiu Nr. 6, Sector 2, Bucuresti, Romania. sub coordonarea lui Cristian Boinceanu

12.07.2017

Cristian Boianceanu si Ciprian Florea, fac o vizita de scurta durata la: Universitatea Tehnica din Cluj-Napoca, Baritiu 26-28, Cluj-Napoca, Romania. unde sunt intampinati de Marius Purcar

6.07.2017

Marius Purcar, in calitate de director de proiect face o vizita de scurta durata la la: Infineon Technologies Munchen Germania. unde este intampinat de Johan Massoner

6-9.06.2017

Participare la 7th International Conference on Modern Power Systems 2017, Cluj-Napoca, Romania cu articolul:

Bojita A., Avram A., Purcar M., Munteanu C., Topa V., "Thermo-Mechanical Simulation of the Metal-Semiconductor Structures of Power Integrated Circuits"

5-18.02.2017

Adrian Bojita, in calitate de cercetator UTCN face un stagiu de pregatire la: Infineon Technologies Romania Scs & Co, B-dul Dimitrie Pompeiu Nr. 6, Sector 2, Bucuresti, Romania. sub coordonarea lui Cristian Boinceanu

12.12.2016

Proiectul SET4CIP a fost prezentat in cadrul lansarii oficiale a proiectului P_40_437 Parteneriate pentru transfer de cunostinte si tehnologie in vederea dezvoltarii de circuite integrate specializate pentru cresterea eficientei energetice a noilor generatii de vehicule - PartenerIC din cadrul actiunii Parteneriate pentru transfer de cunostinte POC-A1-A1.2.3-G-2015.

06.12.2016

S-a desfasurat concursul de ocupare a postului vacant de asistent cercetare din cadrul proiectului. Concursul a fost castigat de dl. ing. Adrian Bojita student masterand in cadrul programului de studii "Tehnici Moderne de Proiectare Asistata de Calculator in Inginerie Electrica" al Facultatii de Inginerie Electrica. Dl. ing. Adrian Bojita isi va incepe activitatea in cadrul proiectului la 01.01.2017.

29.11.2016

Vizita la Infineon Tehnologies Romania. Vizita are ca obiective:

(1) discutarea si stabilirea struturilor de test,

(2) modalitatile de publicare a rezultatelor si,

(3) stabilirea subiectelor pentru practica studentilor.

07.11.2016

Inlanirea de lansare oficiala a proiectului in cadrul careia s-au reunit membrii echipei UTCN. S-au discutat si alocat resursele pentru desfasurarea activitatilor proiectului.

Rezumat

Necesarul de energie electrica are un impact ridicat asupra unei game largi de aplicatii din domeniul industriei auto. Pe fondul costurilor ridicate si a cresterii consumului de energie, in majoritatea aplicatiilor auto, dispozitivele electromecanice sunt inlocuite cu dispozitive semiconductoare integrate. O caracteristica specifica a proiectarii din acest domeniu este garantarea functionarii circuitului in conditiile de stres pentru un numar minim de comutari, in cazul stresului repetat, pana la rata de defect 0. Din acest motiv proiectarea implica incercari repetate, resurse umane considerabile si timp indelungat de lansare pe piata a produsului finit.

Infineon Technologies Romania (IFRO) are ca domeniu principal de activitate proiectarea de circuite integrate de putere (CI) pentru domeniul auto. In cadrul IFRO activeaza un grup ce lucreaza la dezvoltarea de metode si metodologii - inclusiv simulatoare - pentru optimizarea circuitelor de putere. Obiectivul principal al proiectului SET4CIP consta in dezvoltarea unei noii generatii de simulator electro-termo-mecanic pentru CI, pe platforma de simulare si testare utilizata de IFRO, prin integrarea modelelor de calcul si algoritmilor software dezvoltati de catre echipa de cercetare a Universitatii Tehnice din Cluj-Napoca (UTCN).

Conceptul multiscalar-multigrid (simulare iterativa cu rezolutia marita progresiv pe baza metodelor elementului finit extins si level set) dezvoltat de UTCN permite: a) identificarea cu precizie a mecanismelor de defect/distrugere frecvent intalnite in CI; b) identificarea punctelor vulnerabile in functionarea CI; c) compararea elementelor de fiabilitate, robustete (straturi, scheme de conectare, incapsulare, etc.), pentru diferite variante de proiectare din sistemele studiate.Conceptul inovativ propus sustine elaborarea unei noi teorii si abordari in domeniul modelarii proceselor complexe electro-termo-mecanice si include un grad ridicat de interdisciplinaritate.

Obiectivul proiectului

Obiectivul principal al proiectului SET4CIP consta in dezvoltarea unei noii generatii de simulator electro-termo-mecanic pentru circuitele integrate de putere (CI), pe platforma de simulare si testare utilizata de Infineon Technologies Romania (IFRO), prin integrarea modelelor de calcul si algoritmilor software dezvoltati de catre echipa de cercetare a Universitatii Tehnice din Cluj-Napoca (UTCN).

Conceptul multiscalar-multigrid (simulare iterativa cu rezolutia marita progresiv pe baza metodelor elementului finit extins si level set) dezvoltat de UTCN permite: a) identificarea cu precizie a mecanismelor de defect/distrugere frecvent intalnite in CI; b) identificarea punctelor vulnerabile in functionarea CI; c) compararea elementelor de fiabilitate, robustete (straturi, scheme de conectare si incapsulare), pentru diferite variante de proiectare.

Rezultate estimate

(1) Simulator multiscalar/multigrid al proceselor electro-termo-mecanice din circuitele integrate de putere (SET4CIP) pe formatul modelelor de calcul tridimensionale (3D) preluate de la IFRO sub Smesh si Salome Meca.

(2) Dezvoltarea unor metode de determinare a celei mai robuste configuratii prin compararea rezultatelor simularilor diferitelor versiuni de proiectare (scheme de conectare, configuratii de incapsulare, etc.) ale aceluiasi dispozitiv.

(3) Validarea implementarii multiscalare/multigrid prin compararea rezultatelor obtinute din simulari cu rezultate echivalente obtinute de catre IFRO din simulari si masuratori.

(4) Cresterea vizibilitatii echipelor de cercetare implicate prin publicarea a 3 articole in jurnale ISI si participarea la 3 conferinte stiintifice in domeniu.

(5) Instruirea a 4 studenti masteranzi si doctoranzi din cadrul UTCN in tehnicile moderne de proiectare a CI, la compania IFRO in cadrul a 4 stagii de practica (internship) de cate o luna fiecare.